Номер на продукта на производителя:
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK2P60D(TE16L1,NQ)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Подробно описание:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Инвентар:
12891045
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
PXy3
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK2P60D(TE16L1,NQ) Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
π-MOSVII
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
2A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.4V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
280 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
60W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PW-MOLD
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
TK2P60
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,000
Други имена
TK2P60D(TE16L1NQ)
TK2P60DTE16L1NQ
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IRFUC20PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Vishay Siliconix
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
7
Номер на част
IRFUC20PBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.60
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TPC8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
SSM3K72KFS,LF
MOSFET N-CH 60V 300MA SSM
SSM3K361R,LF
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
