Номер на продукта на производителя:
TK30E06N1,S1X
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK30E06N1,S1X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Подробно описание:
N-Channel 60 V 43A (Ta) 53W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентар:
24 Брой Нови Оригинални На Склад
12890280
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
vwz2
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK30E06N1,S1X Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tube
Поредица
U-MOSVIII-H
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
43A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 200µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1050 pF @ 30 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
53W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
TK30E06
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
TK30E06N1,S1X(S
TK30E06N1S1X
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STP60NF06L
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
994
Номер на част
STP60NF06L-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.80
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TPN2R304PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
TPC8036-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
