Номер на продукта на производителя:
TK34A10N1,S4X
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK34A10N1,S4X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 34A TO220SIS
Подробно описание:
N-Channel 100 V 34A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентар:
12949686
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
8D6q
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK34A10N1,S4X Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tube
Поредица
U-MOSVIII-H
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
34A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 500µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2600 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
35W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220SIS
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
TK34A10
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
TK34A10N1S4X
TK34A10N1,S4X-DG
TK34A10N1,S4X(S
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DMJ70H1D3SH3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
DMP2035UVTQ-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
DMG3404L-13
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
