TK34A10N1,S4X
Номер на продукта на производителя:

TK34A10N1,S4X

Product Overview

Производител:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер на част:

TK34A10N1,S4X-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 34A TO220SIS
Подробно описание:
N-Channel 100 V 34A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Инвентар:

12949686
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
8D6q
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

TK34A10N1,S4X Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tube
Поредица
U-MOSVIII-H
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
34A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 500µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2600 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
35W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220SIS
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
TK34A10

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
50
Други имена
TK34A10N1S4X
TK34A10N1,S4X-DG
TK34A10N1,S4X(S

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
diodes

DMJ70H1D3SH3

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

diodes

DMP2035UVTQ-13

MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26

diodes

DMG3404L-13

MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

diodes

DMT6016LPSW-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060