TK430A60F,S4X(S
Номер на продукта на производителя:

TK430A60F,S4X(S

Product Overview

Производител:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер на част:

TK430A60F,S4X(S-DG

Описание:

MOSFET N-CH
Подробно описание:
N-Channel 600 V 13A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Инвентар:

12964628
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
W57k
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

TK430A60F,S4X(S Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
U-MOSIX
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
13A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
430mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1.75mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1940 pF @ 300 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
45W (Tc)
Работна температура
150°C
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220SIS
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
1
Други имена
264-TK430A60F,S4X(S-DG
264-TK430A60F,S4X(S
264-TK430A60FS4X(S

Екологична и износна класификация

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
vishay-siliconix

SI3433BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP

panjit

PJC138K_R1_00001

SOT-323, MOSFET

onsemi

NTMTSC4D3N15MC

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15

panjit

PJA3412_R1_00001

SOT-23, MOSFET