Номер на продукта на производителя:
TK58A06N1,S4X
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK58A06N1,S4X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Подробно описание:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентар:
4 Брой Нови Оригинални На Склад
12890337
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
nlaq
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK58A06N1,S4X Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tube
Поредица
U-MOSVIII-H
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
58A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 500µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3400 pF @ 30 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
35W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220SIS
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
TK58A06
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
TK58A06N1S4X
TK58A06N1,S4X-DG
TK58A06N1,S4X(S
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK3A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK