Номер на продукта на производителя:
TK6Q60W,S1VQ
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK6Q60W,S1VQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Инвентар:
36 Брой Нови Оригинални На Склад
12890251
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK6Q60W,S1VQ Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tube
Поредица
DTMOSIV
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
820mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.7V @ 310µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
390 pF @ 300 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
60W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
I-PAK
Опаковка / Калъф
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Основен номер на продукта
TK6Q60
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
75
Други имена
TK6Q60W,S1VQ(S
TK6Q60WS1VQ
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TPCA8120,LQ(CM
MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP
TK380P65Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
SSM6K204FE,LF
MOSFET N-CH 20V 2A ES6
