Номер на продукта на производителя:
TK8A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Подробно описание:
N-Channel 650 V 8A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентар:
53 Брой Нови Оригинални На Склад
12890567
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK8A65D(STA4,Q,M) Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Bulk
Поредица
π-MOSVII
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
8A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
840mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
45W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220SIS
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
TK8A65
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
TK8A65D(STA4QM)
TK8A65D(Q)
TK8A65DSTA4QM
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK11A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
TK31A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
TPCA8028-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOP
