Номер на продукта на производителя:
TPC8035-H(TE12L,QM
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TPC8035-H(TE12L,QM-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Подробно описание:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Инвентар:
12891003
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
ecYd
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TPC8035-H(TE12L,QM Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
U-MOSVI-H
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
18A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.3V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7800 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1W (Ta)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SOP (5.5x6.0)
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Основен номер на продукта
TPC8035
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
TPC8035-HTE12LQMDKR
TPC8035HTE12LQM
TPC8035-HTE12LQMTR
TPC8035-HTE12LQMCT
TPC8035-H(TE12L,QM-DG
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK65A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
TPH3R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
