Номер на продукта на производителя:
TPH1R712MD,L1Q
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TPH1R712MD,L1Q-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Подробно описание:
P-Channel 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Инвентар:
12171 Брой Нови Оригинални На Склад
12891359
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
koBg
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TPH1R712MD,L1Q Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
U-MOSVI
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.2V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
182 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
10900 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
78W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SOP Advance (5x5)
Опаковка / Калъф
8-PowerVDFN
Основен номер на продукта
TPH1R712
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MDL1QDKR
TPH1R712MDL1QTR
TPH1R712MDL1QCT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK5A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
TPHR9003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
DMN1004UFV-7
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333