Номер на продукта на производителя:
TPH4R008NH,L1Q
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TPH4R008NH,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Подробно описание:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Инвентар:
12476 Брой Нови Оригинални На Склад
12890500
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
yO56
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TPH4R008NH,L1Q Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
U-MOSVIII-H
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
80 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
5300 pF @ 40 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SOP Advance (5x5)
Опаковка / Калъф
8-PowerVDFN
Основен номер на продукта
TPH4R008
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
TPH4R008NHL1QDKR
TPH4R008NHL1QTR
TPH4R008NHL1QCT
TPH4R008NH,L1Q(M
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK35N65W5,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
TPC8031-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
DMN3009LFVW-13
MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
