Номер на продукта на производителя:
TPN4R303NL,L1Q
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TPN4R303NL,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Подробно описание:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентар:
4115 Брой Нови Оригинални На Склад
12890048
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
7A2X
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TPN4R303NL,L1Q Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
U-MOSVIII-H
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
40A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.3V @ 200µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
14.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
700mW (Ta), 34W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Опаковка / Калъф
8-PowerVDFN
Основен номер на продукта
TPN4R303
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
264-TPN4R303NL,L1QDKR
TPN4R303NL,L1Q(M
TPN4R303NLL1QCT
264-TPN4R303NL,L1QTR
TPN4R303NLL1QTR
TPN4R303NLL1QDKR
TPN4R303NLL1QTR-DG
264-TPN4R303NL,L1QCT
TPN4R303NLL1QDKR-DG
TPN4R303NLL1QCT-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2SK3670(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK6A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
2SJ438(AISIN,A,Q)
MOSFET P-CH TO220NIS