Номер на продукта на производителя:
TPN4R712MD,L1Q
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TPN4R712MD,L1Q-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Подробно описание:
P-Channel 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентар:
7052 Брой Нови Оригинални На Склад
12890723
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Y4BU
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TPN4R712MD,L1Q Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
U-MOSVI
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
36A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.2V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4300 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
42W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Опаковка / Калъф
8-PowerVDFN
Основен номер на продукта
TPN4R712
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
TPN4R712MDL1QTR
TPN4R712MDL1QDKR
TPN4R712MDL1QCT
TPN4R712MD,L1Q(M
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
TPC6009-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6
