Номер на продукта на производителя:
IRFBF20PBF
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
IRFBF20PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Подробно описание:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентар:
747 Брой Нови Оригинални На Склад
12868787
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
xGut
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRFBF20PBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
900 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
490 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
54W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220AB
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IRFBF20
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
*IRFBF20PBF
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFD9010PBF
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
IRFP450
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
BUK966R5-60E,118
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
