Номер на продукта на производителя:
IRFD014PBF
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
IRFD014PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Подробно описание:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Инвентар:
1111 Брой Нови Оригинални На Склад
12868933
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRFD014PBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Bulk
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
310 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.3W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
4-HVMDIP
Опаковка / Калъф
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Основен номер на продукта
IRFD014
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
*IRFD014PBF
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFPE50
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
IRF730ASTRR
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
IRF830
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB