Номер на продукта на производителя:
IRFIBE30GPBF
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
IRFIBE30GPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 800 V 2.1A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
1845 Брой Нови Оригинални На Склад
12909632
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRFIBE30GPBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
35W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Основен номер на продукта
IRFIBE30
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
*IRFIBE30GPBF
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXFP56N30X3M
MOSFET N-CH 300V 56A TO220
IRF840S
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IXTP08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
