IRFPF50PBF
Номер на продукта на производителя:

IRFPF50PBF

Product Overview

Производител:

Vishay Siliconix

Номер на част:

IRFPF50PBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Подробно описание:
N-Channel 900 V 6.7A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC

Инвентар:

466 Брой Нови Оригинални На Склад
12906716
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
3qiY
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

IRFPF50PBF Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
900 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
190W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247AC
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IRFPF50

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
25
Други имена
*IRFPF50PBF

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
diodes

ZVN4424ASTZ

MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE

vishay-siliconix

IRFUC20

MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA

littelfuse

IXFP12N50PM

MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB

vishay-siliconix

IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK