Номер на продукта на производителя:
SI1032R-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI1032R-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Подробно описание:
N-Channel 20 V 140mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Инвентар:
16662 Брой Нови Оригинални На Склад
12915300
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
GnHJ
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI1032R-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
140mA (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
250mW (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SC-75A
Опаковка / Калъф
SC-75, SOT-416
Основен номер на продукта
SI1032
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SI1032RT1GE3
SI1032R-T1-GE3CT
SI1032R-T1-GE3TR
SI1032R-T1-GE3DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFR9310TRR
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
SI4490DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO