SI1442DH-T1-GE3
Номер на продукта на производителя:

SI1442DH-T1-GE3

Product Overview

Производител:

Vishay Siliconix

Номер на част:

SI1442DH-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Подробно описание:
N-Channel 12 V 4A (Ta) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Инвентар:

19786 Брой Нови Оригинални На Склад
12915585
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

SI1442DH-T1-GE3 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
12 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
4A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1010 pF @ 6 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SC-70-6
Опаковка / Калъф
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Основен номер на продукта
SI1442

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
SI1442DH-T1-GE3CT
SI1442DH-T1-GE3DKR
SI1442DH-T1-GE3TR
SI1442DHT1GE3

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
vishay-siliconix

SI7686DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4431BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO

vishay-siliconix

IRFZ24STRLPBF

MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

vishay-siliconix

SIHP33N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB