Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SI1442DH-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI1442DH-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Подробно описание:
N-Channel 12 V 4A (Ta) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Инвентар:
19786 Брой Нови Оригинални На Склад
12915585
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI1442DH-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
12 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
4A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1010 pF @ 6 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SC-70-6
Опаковка / Калъф
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Основен номер на продукта
SI1442
Технически данни и документи
HTML Технически лист
SI1442DH-T1-GE3-DG
Технически данни
SI1442DH
Технически листове
SI1442DH-T1-GE3
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SI1442DH-T1-GE3CT
SI1442DH-T1-GE3DKR
SI1442DH-T1-GE3TR
SI1442DHT1GE3
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI7686DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
SI4431BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
IRFZ24STRLPBF
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
SIHP33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB