SI2328DS-T1-BE3
Номер на продукта на производителя:

SI2328DS-T1-BE3

Product Overview

Производител:

Vishay Siliconix

Номер на част:

SI2328DS-T1-BE3-DG

Описание:

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Подробно описание:
N-Channel 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Инвентар:

11995 Брой Нови Оригинални На Склад
12998606
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

SI2328DS-T1-BE3 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
1.15A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
730mW (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-23-3 (TO-236)
Опаковка / Калъф
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
742-SI2328DS-T1-BE3TR
742-SI2328DS-T1-BE3DKR
742-SI2328DS-T1-BE3CT

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
vishay-siliconix

SI2377EDS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

taiwan-semiconductor

TSM4NB60CI

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM080N03PQ56

30V, 73A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4NB65CI

650V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER