Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
ДР Конго
Аржентина
Турция
Румъния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
Италия
Финландия
Беларус
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Черна гора
Руски
Белгия
Швеция
Сърбия
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Молдова
Германия
Холандия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SI2328DS-T1-BE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI2328DS-T1-BE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Подробно описание:
N-Channel 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентар:
11995 Брой Нови Оригинални На Склад
12998606
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI2328DS-T1-BE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
1.15A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
730mW (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-23-3 (TO-236)
Опаковка / Калъф
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технически данни и документи
Технически данни
SI2328DS
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
742-SI2328DS-T1-BE3TR
742-SI2328DS-T1-BE3DKR
742-SI2328DS-T1-BE3CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI2377EDS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
TSM4NB60CI
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM080N03PQ56
30V, 73A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM4NB65CI
650V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER