Номер на продукта на производителя:
SI2333DDS-T1-BE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI2333DDS-T1-BE3-DG
Описание:
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Подробно описание:
P-Channel 12 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентар:
5801 Брой Нови Оригинални На Склад
12977817
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI2333DDS-T1-BE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
12 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5A (Ta), 6A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1275 pF @ 6 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-23-3 (TO-236)
Опаковка / Калъф
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
742-SI2333DDS-T1-BE3TR
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SIHA21N60EF-GE3
N-CHANNEL 600V
SIHFR9220-GE3
MOSFET P-CHANNEL 200V
SI2347DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
