Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SI4202DY-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI4202DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Подробно описание:
Mosfet Array 30V 12.1A 3.7W Surface Mount 8-SOIC
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12961421
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
X
h
Y
a
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI4202DY-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция на FET
Logic Level Gate
Източване към източникаtage (Vdss)
30V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12.1A
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
17nC @ 10V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
710pF @ 15V
Мощност - Макс
3.7W
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройства на доставчика
8-SOIC
Основен номер на продукта
SI4202
Технически данни и документи
HTML Технически лист
SI4202DY-T1-GE3-DG
Технически данни
SI4202DY
Технически листове
SI4202DY-T1-GE3
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
SI4202DY-T1-GE3TR
SI4202DY-T1-GE3DKR
SI4202DY-T1-GE3CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
SH8KA2GZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2907
Номер на част
SH8KA2GZETB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.49
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
SH8KA1GZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
7420
Номер на част
SH8KA1GZETB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.24
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
SH8KA4TB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
41573
Номер на част
SH8KA4TB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.31
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
HP8K24TB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
9480
Номер на част
HP8K24TB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.55
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
QH8KA1TCR
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2865
Номер на част
QH8KA1TCR-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.19
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
MSCSM120HRM052NG
SIC 4N-CH 1200V/700V 472A
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
SI4511DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
SI1917EDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6