Номер на продукта на производителя:
SI5443DC-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI5443DC-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
Подробно описание:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Инвентар:
12915879
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI5443DC-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
-
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
600mV @ 250µA (Min)
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.3W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
1206-8 ChipFET™
Опаковка / Калъф
8-SMD, Flat Lead
Основен номер на продукта
SI5443
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI6404DQ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
SI5499DC-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
SQD50N10-8M9L_GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
