Номер на продукта на производителя:
SI5482DU-T1-E3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI5482DU-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Подробно описание:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Инвентар:
12914134
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
tdly
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI5482DU-T1-E3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
-
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1610 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® ChipFET™ Single
Опаковка / Калъф
PowerPAK® ChipFET™ Single
Основен номер на продукта
SI5482
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SI5482DU-T1-E3TR
SI5482DU-T1-E3DKR
SI5482DUT1E3
SI5482DU-T1-E3CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
SI5418DU-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Vishay Siliconix
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1882
Номер на част
SI5418DU-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.45
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXTH220N055T
MOSFET N-CH 55V 220A TO247
SI1300BDL-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3
SI8416DB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
