Номер на продукта на производителя:
SI6443DQ-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI6443DQ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOP
Подробно описание:
P-Channel 30 V 7.3A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Инвентар:
12918160
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Mj2z
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI6443DQ-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
-
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
7.3A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.05W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-TSSOP
Опаковка / Калъф
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Основен номер на продукта
SI6443
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SI6443DQ-T1-GE3DKR
SI6443DQ-T1-GE3TR
SI6443DQT1GE3
SI6443DQ-T1-GE3CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SIR836DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
SUD17N25-165-E3
MOSFET N-CH 250V 17A TO252
SQM120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
