Номер на продукта на производителя:
SI7421DN-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI7421DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
Подробно описание:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентар:
2353 Брой Нови Оригинални На Склад
12916113
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI7421DN-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6.4A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.5W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® 1212-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® 1212-8
Основен номер на продукта
SI7421
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SI7421DN-T1-GE3DKR
SI7421DN-T1-GE3CT
SI7421DN-T1-GE3TR
SI7421DN-T1-GE3-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SQ3427EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
SI4362BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 29A 8SO
SQA410EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
