Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SI7720DN-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI7720DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Подробно описание:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12914325
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI7720DN-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
SkyFET®, TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1790 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Работна температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® 1212-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® 1212-8
Основен номер на продукта
SI7720
Технически данни и документи
HTML Технически лист
SI7720DN-T1-GE3-DG
Технически данни
SI7720DN
Технически листове
SI7720DN-T1-GE3
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SI7720DNT1GE3
SI7720DN-T1-GE3DKR
SI7720DN-T1-GE3TR
SI7720DN-T1-GE3CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
RQ3E100MNTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
5261
Номер на част
RQ3E100MNTB1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.40
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RQ3E080BNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
40431
Номер на част
RQ3E080BNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.10
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFU9214PBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
IXTP100N04T2
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
IRL540STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
SI4143DY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO