Номер на продукта на производителя:
SIA430DJT-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIA430DJT-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Подробно описание:
N-Channel 20 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Инвентар:
3000 Брой Нови Оригинални На Склад
12786083
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIA430DJT-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
19.2W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SC-70-6 Single
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SC-70-6
Основен номер на продукта
SIA430
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
742-SIA430DJT-T1-GE3DKR
742-SIA430DJT-T1-GE3CT
742-SIA430DJT-T1-GE3TR
SIA430DJT-T1-GE3-DG
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SIRA22DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIHP18N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
SQD50N06-09L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
