Номер на продукта на производителя:
SIB422EDK-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIB422EDK-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Подробно описание:
N-Channel 20 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Инвентар:
2310 Брой Нови Оригинални На Склад
12918025
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIB422EDK-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
9A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta), 13W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SC-75-6
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SC-75-6
Основен номер на продукта
SIB422
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SIB422EDK-T1-GE3DKR
SIB422EDKT1GE3
SIB422EDK-T1-GE3TR
SIB422EDK-T1-GE3CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
FDMA420NZ
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4870
Номер на част
FDMA420NZ-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.24
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI7116DN-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
SI5480DU-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SI7344DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
