Номер на продукта на производителя:
SIHB100N60E-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIHB100N60E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентар:
113 Брой Нови Оригинални На Склад
12786556
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIHB100N60E-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tube
Поредица
E
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
30A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1851 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
208W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
SIHB100
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SQ2348ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A TO236
SUD40N08-16-E3
MOSFET N-CH 80V 40A TO252
SIHP125N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
