Номер на продукта на производителя:
SIHP16N50C-E3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIHP16N50C-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Подробно описание:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентар:
963 Брой Нови Оригинални На Склад
12786625
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIHP16N50C-E3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
500 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
16A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
250W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220AB
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
SIHP16
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
SIHP16N50C-E3DKRINACTIVE
SIHP16N50C-E3TR-DG
SIHP16N50C-E3TRINACTIVE
SIHP16N50C-E3CT-DG
SIHP16N50C-E3DKR-DG
SIHP16N50C-E3TR
SIHP16N50C-E3CT
SIHP16N50C-E3DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SIHB22N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
