Номер на продукта на производителя:
SIJH600E-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIJH600E-T1-GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Подробно описание:
N-Channel 60 V 37A (Ta), 373A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Инвентар:
876 Брой Нови Оригинални На Склад
12967435
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIJH600E-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET® Gen IV
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
37A (Ta), 373A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.92mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
212 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
9950 pF @ 30 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® 8 x 8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® 8 x 8
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,000
Други имена
742-SIJH600E-T1-GE3DKR
742-SIJH600E-T1-GE3CT
742-SIJH600E-T1-GE3TR
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2SJ462-T1-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
UF3SC065030D8S
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
2SK1567-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
