Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SIR104DP-T1-RE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIR104DP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Подробно описание:
N-Channel 100 V 18.3A (Ta), 79A (Tc) 5.4W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12920694
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIR104DP-T1-RE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET® Gen IV
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
18.3A (Ta), 79A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4230 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
5.4W (Ta), 100W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Основен номер на продукта
SIR104
Технически данни и документи
Технически данни
SIR104DP
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SIR104DP-T1-RE3CT
SIR104DP-T1-RE3DKR
2266-SIR104DP-T1-RE3TR
SIR104DP-RE3
SIR104DP-T1-RE3TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
RS3L045GNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1173
Номер на част
RS3L045GNGZETB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.25
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RS6P100BHTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2725
Номер на част
RS6P100BHTB1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.35
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RS1L145GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1003
Номер на част
RS1L145GNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.81
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SIR774DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V
PMCM6501VNEZ
MOSFET N-CH 12V 7.3A 6WLCSP
SQM40041EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
SIRA58DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8