Номер на продукта на производителя:
SIR426DP-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIR426DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Подробно описание:
N-Channel 40 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентар:
63223 Брой Нови Оригинални На Склад
12921644
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIR426DP-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
40 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
30A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1160 pF @ 20 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Основен номер на продукта
SIR426
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
Q5396740TG
SIR426DP-T1-GE3-DG
SIR426DP-T1-GE3TR
T1317218
SIR426DP-T1-GE3CT
SIR426DP-T1-GE3DKR
SIR426DPT1GE3
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2N7002ET7G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
2SK4087LS
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220FI
ZXMN2AM832TA
MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
