Номер на продукта на производителя:
SIR578DP-T1-RE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIR578DP-T1-RE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Подробно описание:
N-Channel 150 V 17.2A (Ta), 70.2A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентар:
12993231
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIR578DP-T1-RE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET® Gen V
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
150 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
17.2A (Ta), 70.2A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2540 pF @ 75 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
742-SIR578DP-T1-RE3TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
