Номер на продукта на производителя:
SIR846ADP-T1-RE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIR846ADP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Подробно описание:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентар:
12916946
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIR846ADP-T1-RE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2350 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
83W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Основен номер на продукта
SIR846
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI7404DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
SQ7414CENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
SI7174DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8