Номер на продукта на производителя:
SIR873DP-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIR873DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Подробно описание:
P-Channel 150 V 37A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентар:
12920247
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIR873DP-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET® Gen IV
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
150 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
37A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
47.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1805 pF @ 75 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
104W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Основен номер на продукта
SIR873
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SIR873DP-T1-GE3DKR
SIR873DP-T1-GE3CT
SIR873DP-T1-GE3TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI4632DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
SQM100N04-2M7_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
VS-FC420SA10
MOSFET N-CH 100V 435A SOT227
