Номер на продукта на производителя:
SIRA18DP-T1-RE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIRA18DP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Подробно описание:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентар:
12966431
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIRA18DP-T1-RE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
33A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
14.7W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Основен номер на продукта
SIRA18
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI8424DB-T1-E1
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
PJA3432-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET
MSJW20N65-BP
MOSFET N-CH TO247
