Номер на продукта на производителя:
SISA10DN-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SISA10DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Подробно описание:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентар:
4232 Брой Нови Оригинални На Склад
12786122
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SISA10DN-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
30A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2425 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® 1212-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® 1212-8
Основен номер на продукта
SISA10
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SISA10DNT1GE3
SISA10DN-T1-GE3TR
SISA10DN-T1-GE3CT
SISA10DN-T1-GE3DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SUD45P03-10-E3
MOSFET P-CH 30V TO252
SIE726DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
SIHD2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
