Номер на продукта на производителя:
SQD50P06-15L_GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SQD50P06-15L_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Подробно описание:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентар:
5049 Брой Нови Оригинални На Склад
12787310
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SQD50P06-15L_GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
50A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
5910 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
136W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252AA
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
SQD50
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,000
Други имена
SQD50P06-15L-GE3
SQD50P06-15L_GE3-DG
SQD50P06-15L-GE3-DG
SQD50P06-15L_GE3CT
SQD50P06-15L_GE3DKR
SQD50P06-15L_GE3TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SUD50P08-25L-E3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
SIHG70N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC
SIR814DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
