Номер на продукта на производителя:
SQJA06EP-T1_GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SQJA06EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Подробно описание:
N-Channel 60 V 57A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентар:
9000 Брой Нови Оригинални На Склад
12787175
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SQJA06EP-T1_GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
57A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
55W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Основен номер на продукта
SQJA06
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SQJA06EP-T1_GE3DKR
SQJA06EP-T1_GE3TR
SQJA06EP-T1_GE3CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SIHD180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SIHD6N62ET1-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
