Номер на продукта на производителя:
SQM110P06-8M9L_GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SQM110P06-8M9L_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Подробно описание:
P-Channel 60 V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентар:
1265 Брой Нови Оригинални На Склад
12919740
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SQM110P06-8M9L_GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
110A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7450 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
230W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
SQM110
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
800
Други имена
SQM110P06-8M9L_GE3-DG
SQM110P06-8M9L_GE3TR
SQM110P06-8M9L_GE3CT
SQM110P06-8M9L_GE3DKR
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI7434DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
SI5479DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK
SI5476DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
