Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SQS181ELNW-T1_GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SQS181ELNW-T1_GE3-DG
Описание:
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Подробно описание:
P-Channel 80 V 44A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW
Инвентар:
2717 Брой Нови Оригинални На Склад
13002680
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SQS181ELNW-T1_GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
80 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
44A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
31mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2771 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
119W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount, Wettable Flank
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® 1212-8SLW
Опаковка / Калъф
PowerPAK® 1212-8SLW
Технически данни и документи
HTML Технически лист
SQS181ELNW-T1_GE3-DG
Технически данни
SQS181ELNW
Технически листове
SQS181ELNW-T1_GE3
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
742-SQS181ELNW-T1_GE3DKR
742-SQS181ELNW-T1_GE3CT
742-SQS181ELNW-T1_GE3TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
NVLJWS011N06CLTAG
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
ISZ15EP15LMATMA1
TRENCH >=100V
PMPB10R3XNX
SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
G1K3N10LL
MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L