SQS181ELNW-T1_GE3
Номер на продукта на производителя:

SQS181ELNW-T1_GE3

Product Overview

Производител:

Vishay Siliconix

Номер на част:

SQS181ELNW-T1_GE3-DG

Описание:

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Подробно описание:
P-Channel 80 V 44A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW

Инвентар:

2717 Брой Нови Оригинални На Склад
13002680
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

SQS181ELNW-T1_GE3 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
80 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
44A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
31mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2771 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
119W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount, Wettable Flank
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® 1212-8SLW
Опаковка / Калъф
PowerPAK® 1212-8SLW

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
742-SQS181ELNW-T1_GE3DKR
742-SQS181ELNW-T1_GE3CT
742-SQS181ELNW-T1_GE3TR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
onsemi

NVLJWS011N06CLTAG

T6 60V LL 2X2 WDFNW6

infineon-technologies

ISZ15EP15LMATMA1

TRENCH >=100V

nexperia

PMPB10R3XNX

SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL

goford-semiconductor

G1K3N10LL

MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L