Номер на продукта на производителя:
SUD70090E-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SUD70090E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Подробно описание:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентар:
12920615
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SUD70090E-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Bulk
Поредица
ThunderFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
50A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1950 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
125W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252AA
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
SUD70090
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,000
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
TK33S10N1Z,LQ
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Toshiba Semiconductor and Storage
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1940
Номер на част
TK33S10N1Z,LQ-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.59
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI2327DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
SI8465DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
