Номер на продукта на производителя:
IRFIBF30GPBF
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
IRFIBF30GPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 900 V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
888 Брой Нови Оригинални На Склад
13054080
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
sP9p
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IRFIBF30GPBF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tube
Поредица
-
Опаковки
Tube
Състояние на частта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
900 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
35W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Основен номер на продукта
IRFIBF30
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
742-IRFIBF30GPBF
IRFIBF30GPBF-ND
*IRFIBF30GPBF
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF530
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
IRF740ASTRRPBF
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
SI4666DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO