Номер на продукта на производителя:
SIS438DN-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIS438DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Подробно описание:
N-Channel 20 V 16A (Tc) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентар:
40327 Брой Нови Оригинални На Склад
13061539
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIS438DN-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Опаковки
Tape & Reel (TR)
Състояние на частта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
16A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
880 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® 1212-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® 1212-8
Основен номер на продукта
SIS438
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SIS438DNT1GE3
SIS438DN-T1-GE3DKR
SIS438DN-T1-GE3TR
SIS438DN-T1-GE3-ND
SIS438DN-T1-GE3CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
SI7160DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SQD100N03-3M2L_GE3
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
