Номер на продукта на производителя:
SQJ148EP-T1_GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SQJ148EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Подробно описание:
N-Channel 40 V 15A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентар:
6230 Брой Нови Оригинални На Склад
13008614
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SQJ148EP-T1_GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Опаковки
Tape & Reel (TR)
Състояние на частта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
40 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
15A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
33mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
45W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Основен номер на продукта
SQJ148
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SIHP050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
SIHB22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
SQD40N06-14L_GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
