Номер на продукта на производителя:
SQP120N10-3M8_GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SQP120N10-3M8_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Подробно описание:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентар:
13006596
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SQP120N10-3M8_GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
-
Поредица
-
Опаковки
Tube
Състояние на частта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
120A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7230 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
250W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220AB
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
SQP120
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
500
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SIHG47N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
SIR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
