Номер на продукта на производителя:
SUM110P08-11L-E3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SUM110P08-11L-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Подробно описание:
P-Channel 80 V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентар:
44245 Брой Нови Оригинални На Склад
13006245
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SUM110P08-11L-E3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Опаковки
Tape & Reel (TR)
Състояние на частта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
80 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
110A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
10850 pF @ 40 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
13.6W (Ta), 375W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
SUM110
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SIR186DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
SIHF35N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
