SUM45N25-58-E3
Номер на продукта на производителя:

SUM45N25-58-E3

Product Overview

Производител:

Vishay Siliconix

Номер на част:

SUM45N25-58-E3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Подробно описание:
N-Channel 250 V 45A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентар:

6328 Брой Нови Оригинални На Склад
13058962
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

SUM45N25-58-E3 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Опаковки
Tape & Reel (TR)
Състояние на частта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
250 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
45A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
5000 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
SUM45

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
800
Други имена
SUM45N25-58-E3DKR
SUM45N2558E3
SUM45N25-58-E3TR
SUM45N25-58-E3CT
SUM45N25-58-E3-ND

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
vishay

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK

vishay

SIB417AEDK-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6

vishay

SI7882DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

vishay

SIB415DK-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6