Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
C3M0045065K
Product Overview
Производител:
Wolfspeed, Inc.
Номер на част:
C3M0045065K-DG
Описание:
GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Подробно описание:
N-Channel 650 V 49A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Инвентар:
30 Брой Нови Оригинални На Склад
12948852
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
C3M0045065K Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Wolfspeed
Опаковане
Tube
Поредица
C3M™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
49A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 17.6A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.6V @ 4.84mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
+19V, -8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1621 pF @ 600 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
176W (Tc)
Работна температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247-4L
Опаковка / Калъф
TO-247-4
Основен номер на продукта
C3M0045065
Технически данни и документи
HTML Технически лист
C3M0045065K-DG
Технически данни
C3M0045065K
Технически листове
C3M0045065K
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Други имена
-3312-C3M0045065K
1697-C3M0045065K
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IAUC100N04S6N028ATMA1
IAUC100N04S6N028ATMA1
IAUC80N04S6L032ATMA1
IAUC80N04S6L032ATMA1
IAUC120N04S6N013ATMA1
IAUC120N04S6N013ATMA1
IAUC60N04S6N044ATMA1
IAUC60N04S6N044ATMA1